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Diodes Incorporated DMN2320UFB4-7B
- MFG-Teilenummer
- DMN2320UFB4-7B
- verfügbare Anzahl
- 79590 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.1188
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DMN2320UFB4-7B.pdf
DMN2320UFB4-7B Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DMN2320UFB4-7B |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DMN2320UFB4-7B |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| DMN2320UFB4-7B Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.89nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 71pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 520mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
| Paket / fall | 3-XFDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN2320UFB4-7B Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DMN2320UFB4-7B-FT |
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