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Diodes Incorporated DMN2320UFB4-7B

Name: DMN2320UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2320UFB4-7B
Price: 0.1188 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (717 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN2320UFB4-7B

verfügbare Anzahl: 79590 Stücke

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN2320UFB4-7B.pdf

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DMN2320UFB4-7B Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN2320UFB4-7B
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN2320UFB4-7B
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN2320UFB4-7B Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.89nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	71pF @ 10V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	520mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	X2-DFN1006-3
Paket / fall	3-XFDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2320UFB4-7B Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN2320UFB4-7B-FT

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