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Diodes Incorporated DMN2600UFB-7
- MFG-Teilenummer
- DMN2600UFB-7
- verfügbare Anzahl
- 40190 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.056784
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DMN2600UFB-7.pdf
DMN2600UFB-7 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DMN2600UFB-7 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DMN2600UFB-7 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| DMN2600UFB-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.85nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 70.13pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 540mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Paket / fall | 3-UFDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN2600UFB-7 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DMN2600UFB-7-FT |
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