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Diodes Incorporated DMN2600UFB-7

Name: DMN2600UFB-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2600UFB-7
Price: 0.056784 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (206 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN2600UFB-7

verfügbare Anzahl: 40190 Stücke

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN2600UFB-7.pdf

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DMN2600UFB-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN2600UFB-7
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN2600UFB-7
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN2600UFB-7 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.85nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	70.13pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	540mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / fall	3-UFDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2600UFB-7 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN2600UFB-7-FT

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