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Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7

MFG-Teilenummer
DMN26D0UFB4-7
verfügbare Anzahl
15670 Stücke
Referenzpreis
USD 0.054648
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN26D0UFB4-7.pdf
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DMN26D0UFB4-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN26D0UFB4-7
Zukünftige Teilenummer FT-DMN26D0UFB4-7
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Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN26D0UFB4-7 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 230mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14.1pF @ 15V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package X2-DFN1006-3
Paket / fall 3-XFDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN26D0UFB4-7 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN26D0UFB4-7-FT

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