Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / DMN26D0UFB4-7
Herstellerteilenummer | DMN26D0UFB4-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMN26D0UFB4-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMN26D0UFB4-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 230mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14.1pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 350mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 |
Paket / fall | 3-XFDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN26D0UFB4-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMN26D0UFB4-7-FT |
DMN3200U-7
Diodes Incorporated
DMN53D0LQ-13
Diodes Incorporated
DMN53D0U-13
Diodes Incorporated
DMN61D8L-13
Diodes Incorporated
DMN61D8L-7
Diodes Incorporated
DMN61D8LQ-13
Diodes Incorporated
DMN61D8LQ-7
Diodes Incorporated
DMN61D9U-13
Diodes Incorporated
DMN63D8L-13
Diodes Incorporated
DMN67D8L-13
Diodes Incorporated
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
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EP20K60EFC324-1
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EP2S60F1020C5
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