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Diodes Incorporated DMN3010LFG-13

Name: DMN3010LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3010LFG-13
Price: 0.195072 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (565 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN3010LFG-13

verfügbare Anzahl: 68610 Stücke

Referenzpreis: USD 0.195072

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN3010LFG-13.pdf

DMN3010LFG-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN3010LFG-13
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN3010LFG-13
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN3010LFG-13 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2075pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	900mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerDI3333-8
Paket / fall	8-PowerWDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3010LFG-13 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN3010LFG-13-FT

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