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Herstellerteilenummer | DMN3020UTS-13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMN3020UTS-13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMN3020UTS-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 15A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1304pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.4W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-TSSOP |
Paket / fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3020UTS-13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMN3020UTS-13-FT |
SPB80N06S2L-H5
Infineon Technologies
SPB80N08S2-07
Infineon Technologies
SPB80N08S2L-07
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SQM120N03-1M5L_GE3
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SQM120P04-04L_GE3
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SUM40010EL-GE3
Vishay Siliconix
XCVU095-2FFVD1517I
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AGL1000V2-FG256T
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A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
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A42MX09-1VQ100
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10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
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EP2AGX65CU17C4
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