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Diodes Incorporated DMN3032LE-13
- MFG-Teilenummer
- DMN3032LE-13
- verfügbare Anzahl
- 83160 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.190496
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DMN3032LE-13.pdf
DMN3032LE-13 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DMN3032LE-13 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DMN3032LE-13 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| DMN3032LE-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 5.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 498pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-223 |
| Paket / fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN3032LE-13 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DMN3032LE-13-FT |
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