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Diodes Incorporated DMN30H4D0LFDE-13

MFG-Teilenummer
DMN30H4D0LFDE-13
verfügbare Anzahl
71690 Stücke
Referenzpreis
USD 0.095496
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN30H4D0LFDE-13.pdf
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DMN30H4D0LFDE-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN30H4D0LFDE-13
Zukünftige Teilenummer FT-DMN30H4D0LFDE-13
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN30H4D0LFDE-13 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 550mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 187.3pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 630mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package U-DFN2020-6 (Type E)
Paket / fall 6-UDFN Exposed Pad
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN30H4D0LFDE-13 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN30H4D0LFDE-13-FT

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