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DMN3112S-7 Image

Diodes Incorporated DMN3112S-7

MFG-Teilenummer
DMN3112S-7
verfügbare Anzahl
59080 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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DMN3112S-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN3112S-7
Zukünftige Teilenummer FT-DMN3112S-7
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN3112S-7 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 5.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 268pF @ 5V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package SOT-23-3
Paket / fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3112S-7 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN3112S-7-FT

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