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Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7

Name: DMN3730UFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3730UFB4-7
Price: 0.1524 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (641 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN3730UFB4-7

verfügbare Anzahl: 32700 Stücke

Referenzpreis: USD 0.1524

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN3730UFB4-7.pdf

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DMN3730UFB4-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN3730UFB4-7
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN3730UFB4-7
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN3730UFB4-7 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	750mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	1.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	64.3pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	470mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	X2-DFN1006-3
Paket / fall	3-XFDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3730UFB4-7 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN3730UFB4-7-FT

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