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Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ-13
- MFG-Teilenummer
- DMN61D8LVTQ-13
- verfügbare Anzahl
- 39410 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.14424
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DMN61D8LVTQ-13.pdf
DMN61D8LVTQ-13 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DMN61D8LVTQ-13 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DMN61D8LVTQ-13 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| DMN61D8LVTQ-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 630mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
| Leistung max | 820mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Supplier Device Package | TSOT-26 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMN61D8LVTQ-13 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DMN61D8LVTQ-13-FT |
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