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Diodes Incorporated DMN80H2D0SCTI

Name: DMN80H2D0SCTI
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN80H2D0SCTI
Price: 1.1808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (62 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN80H2D0SCTI

verfügbare Anzahl: 93870 Stücke

Referenzpreis: USD 1.1808

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN80H2D0SCTI.pdf

DMN80H2D0SCTI Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN80H2D0SCTI
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN80H2D0SCTI
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN80H2D0SCTI Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	35.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1253pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	41W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	ITO-220AB
Paket / fall	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN80H2D0SCTI Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN80H2D0SCTI-FT

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