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DMN90H2D2HCTI Image

Diodes Incorporated DMN90H2D2HCTI

MFG-Teilenummer
DMN90H2D2HCTI
verfügbare Anzahl
73310 Stücke
Referenzpreis
USD 1.608
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN90H2D2HCTI.pdf
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DMN90H2D2HCTI Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN90H2D2HCTI
Zukünftige Teilenummer FT-DMN90H2D2HCTI
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN90H2D2HCTI Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 20.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1487pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package ITO-220AB
Paket / fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN90H2D2HCTI Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN90H2D2HCTI-FT

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