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Diodes Incorporated DMN90H8D5HCT

Name: DMN90H8D5HCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN90H8D5HCT
Price: 1.104 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (128 reviews)

MFG-Teilenummer: DMN90H8D5HCT

verfügbare Anzahl: 45900 Stücke

Referenzpreis: USD 1.104

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMN90H8D5HCT.pdf

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DMN90H8D5HCT Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMN90H8D5HCT
Zukünftige Teilenummer	FT-DMN90H8D5HCT
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMN90H8D5HCT Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220AB
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN90H8D5HCT Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMN90H8D5HCT-FT

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