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DMN95H8D5HCT Image

Diodes Incorporated DMN95H8D5HCT

MFG-Teilenummer
DMN95H8D5HCT
verfügbare Anzahl
72480 Stücke
Referenzpreis
USD 1.168
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN95H8D5HCT.pdf
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DMN95H8D5HCT Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN95H8D5HCT
Zukünftige Teilenummer FT-DMN95H8D5HCT
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN95H8D5HCT Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN95H8D5HCT Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN95H8D5HCT-FT

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