Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / DMNH10H028SK3Q-13
Herstellerteilenummer | DMNH10H028SK3Q-13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMNH10H028SK3Q-13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMNH10H028SK3Q-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 55A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2245pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-252 |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMNH10H028SK3Q-13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMNH10H028SK3Q-13-FT |
DMN3070SSN-7
Diodes Incorporated
DMN3033LSNQ-13
Diodes Incorporated
DMG3401LSN-7
Diodes Incorporated
DMN2112SN-7
Diodes Incorporated
DMN2114SN-7
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DMP3030SN-7
Diodes Incorporated
BSS123W
ON Semiconductor
DMN2300UFB4-7B
Diodes Incorporated
DMN2400UFB4-7
Diodes Incorporated
DMP2104LP-7
Diodes Incorporated
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
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EP20K1000CF33C7N
Intel