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Diodes Incorporated DMT10H015LFG-13

Name: DMT10H015LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H015LFG-13
Price: 0.4176 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (279 reviews)

MFG-Teilenummer: DMT10H015LFG-13

verfügbare Anzahl: 94960 Stücke

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 100V 10A

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMT10H015LFG-13.pdf

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DMT10H015LFG-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMT10H015LFG-13
Zukünftige Teilenummer	FT-DMT10H015LFG-13
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMT10H015LFG-13 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	33.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1871pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerDI3333-8
Paket / fall	8-PowerWDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H015LFG-13 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMT10H015LFG-13-FT

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