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Diodes Incorporated DMT10H015LFG-13

MFG-Teilenummer
DMT10H015LFG-13
verfügbare Anzahl
94960 Stücke
Referenzpreis
USD 0.4176
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 100V 10A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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DMT10H015LFG-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMT10H015LFG-13
Zukünftige Teilenummer FT-DMT10H015LFG-13
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMT10H015LFG-13 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 33.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1871pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Paket / fall 8-PowerWDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT10H015LFG-13 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMT10H015LFG-13-FT

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