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Herstellerteilenummer | DMT10H072LFDF-13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMT10H072LFDF-13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMT10H072LFDF-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 266pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 800mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | U-DFN2020-6 |
Paket / fall | 6-UDFN Exposed Pad |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT10H072LFDF-13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMT10H072LFDF-13-FT |
APTM50UM13SAG
Microsemi Corporation
FKP280A
Sanken
FKP300A
Sanken
NVMTS0D7N04CTXG
ON Semiconductor
NVMTS0D7N04CLTXG
ON Semiconductor
FDMC008N08C
ON Semiconductor
BSP75GQTA
Diodes Incorporated
DMG1012T-13
Diodes Incorporated
DMG3414UQ-13
Diodes Incorporated
DMG4N65CTI
Diodes Incorporated
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel