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Herstellerteilenummer | DMT3009LFVW-13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMT3009LFVW-13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMT3009LFVW-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta), 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 14.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 823pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount, Wettable Flank |
Supplier Device Package | PowerDI3333-8 (Type UX) |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT3009LFVW-13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMT3009LFVW-13-FT |
DMTH3004LFG-13
Diodes Incorporated
DMTH3004LFG-7
Diodes Incorporated
DMTH4008LFDFWQ-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LFDFWQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LFDFWQ-7R
Diodes Incorporated
IXFB70N100X
IXYS
IXFH130N15X3
IXYS
IXFH150N25X3HV
IXYS
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel