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Herstellerteilenummer | DMT3009LFVWQ-13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMT3009LFVWQ-13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMT3009LFVWQ-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta), 50A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 14.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 823pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta), 35.7W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMT3009LFVWQ-13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMT3009LFVWQ-13-FT |
DMTH3004LFG-7
Diodes Incorporated
DMTH4008LFDFWQ-13
Diodes Incorporated
DMTH4008LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LFDFWQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6016LFDFWQ-7
Diodes Incorporated
DMTH6016LFDFWQ-7R
Diodes Incorporated
IXFB70N100X
IXYS
IXFH130N15X3
IXYS
IXFH150N25X3HV
IXYS
IXFH26N100X
IXYS
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel