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DMT6007LFG-7 Image

Diodes Incorporated DMT6007LFG-7

MFG-Teilenummer
DMT6007LFG-7
verfügbare Anzahl
44010 Stücke
Referenzpreis
USD 0.412032
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI333
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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DMT6007LFG-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMT6007LFG-7
Zukünftige Teilenummer FT-DMT6007LFG-7
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMT6007LFG-7 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 15A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 41.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2090pF @ 30V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PowerDI3333-8
Paket / fall 8-PowerWDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT6007LFG-7 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMT6007LFG-7-FT

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