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DMT6013LFDF-7 Image

Diodes Incorporated DMT6013LFDF-7

MFG-Teilenummer
DMT6013LFDF-7
verfügbare Anzahl
43400 Stücke
Referenzpreis
USD 0.38976
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET BVDSS 41V-60V U-DFN2020-
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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DMT6013LFDF-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMT6013LFDF-7
Zukünftige Teilenummer FT-DMT6013LFDF-7
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMT6013LFDF-7 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1081pF @ 30V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 900mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package U-DFN2020-6
Paket / fall 6-UDFN Exposed Pad
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT6013LFDF-7 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMT6013LFDF-7-FT

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