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DMTH10H010LCT Image

Diodes Incorporated DMTH10H010LCT

MFG-Teilenummer
DMTH10H010LCT
verfügbare Anzahl
76460 Stücke
Referenzpreis
USD 1.448
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET 100V 108A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMTH10H010LCT.pdf
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DMTH10H010LCT Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMTH10H010LCT
Zukünftige Teilenummer FT-DMTH10H010LCT
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMTH10H010LCT Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 108A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 53.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2592pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMTH10H010LCT Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMTH10H010LCT-FT

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