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Diodes Incorporated DMTH10H010SCT
- MFG-Teilenummer
- DMTH10H010SCT
- verfügbare Anzahl
- 24090 Stücke
- Referenzpreis
- USD 1.08896
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET BVDSS 61V-100V TO220AB T
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DMTH10H010SCT.pdf
DMTH10H010SCT Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DMTH10H010SCT |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DMTH10H010SCT |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| DMTH10H010SCT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 100A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56.4nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4468pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 187W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Paket / fall | TO-220-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMTH10H010SCT Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DMTH10H010SCT-FT |
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