Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / DN2535N3-G-P003
Herstellerteilenummer | DN2535N3-G-P003 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DN2535N3-G-P003 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DN2535N3-G-P003 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 350V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 120mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-92 (TO-226) |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN2535N3-G-P003 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DN2535N3-G-P003-FT |
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