Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / DN2540N8-G
Herstellerteilenummer | DN2540N8-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DN2540N8-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DN2540N8-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 400V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 170mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 120mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-243AA (SOT-89) |
Paket / fall | TO-243AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN2540N8-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DN2540N8-G-FT |
PSMN015-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN018-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN019-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN023-40YLCX
NXP USA Inc.
PSMN030-60YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN038-100YLX
Nexperia USA Inc.
PSMN039-100YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN045-80YS,115
Nexperia USA Inc.
PSMN059-150Y,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R0-25YLDX
Nexperia USA Inc.
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel