Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / DN3535N8-G
Herstellerteilenummer | DN3535N8-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DN3535N8-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DN3535N8-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 350V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 230mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 150mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
FET-Funktion | Depletion Mode |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-243AA (SOT-89) |
Paket / fall | TO-243AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DN3535N8-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DN3535N8-G-FT |
PSMN1R0-40YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R2-30YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R4-40YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-25YLC,115
NXP USA Inc.
PSMN1R7-25YLDX
Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-30YL,115
Nexperia USA Inc.
PSMN1R8-40YLC,115
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XC6SLX45-3FG676C
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XC4005L-5PQ208C
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XC2VP2-7FG456C
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A42MX16-PQ208M
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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Intel