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Herstellerteilenummer | DR1040-151-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DR1040-151-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DR1040 |
DR1040-151-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 150µH |
Toleranz | ±30% |
Aktuelle Bewertung | 850mA |
Strom - Sättigung | 1.15A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 430 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.157" (4.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1040-151-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DR1040-151-R-FT |
DR74-331-R
Eaton - Electronics Division
DR74-821-R
Eaton - Electronics Division
DR74-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DR74-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DR74-820-R
Eaton - Electronics Division
DR74-R33-R
Eaton - Electronics Division
DR74-681-R
Eaton - Electronics Division
DR74-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DR74-101
Eaton - Electronics Division
DR73-220-R
Eaton - Electronics Division
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation