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Herstellerteilenummer | DR1040-330-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DR1040-330-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DR1040 |
DR1040-330-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 33µH |
Toleranz | ±30% |
Aktuelle Bewertung | 2.2A |
Strom - Sättigung | 2.45A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 93 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.157" (4.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1040-330-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DR1040-330-R-FT |
DR74-3R3-R
Eaton - Electronics Division
DR74-470-R
Eaton - Electronics Division
DR74-471-R
Eaton - Electronics Division
DR74-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DR74-2R2-R
Eaton - Electronics Division
DR74-331-R
Eaton - Electronics Division
DR74-821-R
Eaton - Electronics Division
DR74-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DR74-6R8-R
Eaton - Electronics Division
DR74-820-R
Eaton - Electronics Division
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel