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Herstellerteilenummer | DR1050-100-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DR1050-100-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DR1050 |
DR1050-100-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±30% |
Aktuelle Bewertung | 4.8A |
Strom - Sättigung | 4.58A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 22.5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.413" L x 0.406" W (10.50mm x 10.30mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.197" (5.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DR1050-100-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DR1050-100-R-FT |
DR74-680-R
Eaton - Electronics Division
DR74-150-R
Eaton - Electronics Division
DR74-100-R
Eaton - Electronics Division
DR74-101-R
Eaton - Electronics Division
DR74-4R7-R
Eaton - Electronics Division
DR74-220-R
Eaton - Electronics Division
DR74-221-R
Eaton - Electronics Division
DR74-102-R
Eaton - Electronics Division
DR74-151-R
Eaton - Electronics Division
DR74-3R3-R
Eaton - Electronics Division
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel