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Herstellerteilenummer | DRA127-100-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA127-100-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DRA |
DRA127-100-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 6.02A |
Strom - Sättigung | 11.2A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 17 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 165°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.315" (8.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA127-100-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA127-100-R-FT |
HC1-R22-R
Eaton - Electronics Division
HC1-7R8-R
Eaton - Electronics Division
HC1-3R6-R
Eaton - Electronics Division
HC1-2R3-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R7-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HC1-100-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-230-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-200-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-150-R
Eaton - Electronics Division
XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel