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Herstellerteilenummer | DRA127-1R0-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA127-1R0-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DRA |
DRA127-1R0-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 1µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 19.22A |
Strom - Sättigung | 40A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.7 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 165°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.315" (8.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA127-1R0-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA127-1R0-R-FT |
HC1-2R3-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R7-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HC1-100-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-230-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-200-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-150-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-170-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-190-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-270-R
Eaton - Electronics Division
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel