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Herstellerteilenummer | DRA127-2R2-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA127-2R2-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DRA |
DRA127-2R2-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 12.52A |
Strom - Sättigung | 25.5A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 4 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 165°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.315" (8.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA127-2R2-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA127-2R2-R-FT |
HC1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HC1-100-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-230-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-200-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-150-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-170-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-190-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-270-R
Eaton - Electronics Division
FPT705-300-R
Eaton - Electronics Division
FP4-200-R
Eaton - Electronics Division
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel