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Herstellerteilenummer | DRA127-470-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA127-470-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DRA |
DRA127-470-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 47µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.62A |
Strom - Sättigung | 5.09A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 91 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 165°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.315" (8.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA127-470-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA127-470-R-FT |
HC2-R68-R
Eaton - Electronics Division
HC2-R68TR-R
Eaton - Electronics Division
HC2-2R2TR-R
Eaton - Electronics Division
HC1-R22-R
Eaton - Electronics Division
HC1-7R8-R
Eaton - Electronics Division
HC1-3R6-R
Eaton - Electronics Division
HC1-2R3-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R7-R
Eaton - Electronics Division
HC1-1R0-R
Eaton - Electronics Division
HC1-100-R
Eaton - Electronics Division
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel