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Herstellerteilenummer | DRA127-8R2-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA127-8R2-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DRA |
DRA127-8R2-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 6.33A |
Strom - Sättigung | 12.2A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 16 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 165°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.315" (8.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA127-8R2-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA127-8R2-R-FT |
FPT705-300-R
Eaton - Electronics Division
FP4-200-R
Eaton - Electronics Division
FP4-090SK-R
Eaton - Electronics Division
FP4-100-R
Eaton - Electronics Division
FP4-120-R
Eaton - Electronics Division
FP4-150-R
Eaton - Electronics Division
FP3-100-R
Eaton - Electronics Division
FP3-R20-R
Eaton - Electronics Division
FP3-R68-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R21-R
Eaton - Electronics Division
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel