Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA2115E0L
Herstellerteilenummer | DRA2115E0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA2115E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA2115E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 100 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2115E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA2115E0L-FT |
FJN3302RTA
ON Semiconductor
FJN3305RTA
ON Semiconductor
FJN4309RTA
ON Semiconductor
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AGLN020V2-CSG81I
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A54SX32A-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
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EP1K100FC256-2N
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5SGXMBBR3H43I3LN
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5SGXEA5H2F35I3L
Intel
XA7A50T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C5
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