Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA2123E0L
Herstellerteilenummer | DRA2123E0L |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DRA2123E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA2123E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2123E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA2123E0L-FT |
FJN4301RTA
ON Semiconductor
FJN3303RTA
ON Semiconductor
FJN3304RTA
ON Semiconductor
FJN3306RTA
ON Semiconductor
FJN3307RTA
ON Semiconductor
FJN3308RTA
ON Semiconductor
FJN3309RTA
ON Semiconductor
FJN3310RTA
ON Semiconductor
FJN3311RTA
ON Semiconductor
FJN3312RTA
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FG676C
Xilinx Inc.
XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.
XC4028XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation
EP4CE22E22C9L
Intel
LCMXO2-7000ZE-3FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9E6F31C7N
Intel
EPF10K100EQC240-3N
Intel
EP1K100QC208-2
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel