Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA2123J0L
Herstellerteilenummer | DRA2123J0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA2123J0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA2123J0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2123J0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA2123J0L-FT |
FJN3303RTA
ON Semiconductor
FJN3304RTA
ON Semiconductor
FJN3306RTA
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FJN3307RTA
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FJN3308RTA
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FJN3309RTA
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LFXP3C-5TN144C
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XA3S400A-4FGG400Q
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AGLN020V5-CSG81
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M2GL010TS-1VFG256
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7H3F35C4N
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XC5VSX50T-1FF1136C
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6U19I7N
Intel
EPF6024AQC208-3
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