Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA2123Y0L
Herstellerteilenummer | DRA2123Y0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA2123Y0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA2123Y0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2123Y0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA2123Y0L-FT |
PDTA124XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143TS,126
NXP USA Inc.
PDTA143XS,126
NXP USA Inc.
PDTA143ZS,126
NXP USA Inc.
PDTA144ES,126
NXP USA Inc.
PDTA144TS,126
NXP USA Inc.
PDTA144VS,126
NXP USA Inc.
PDTA144WS,126
NXP USA Inc.
PDTB113ES,126
NXP USA Inc.
PDTB113ZS,126
NXP USA Inc.
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
XCV300E-8FG256C
Xilinx Inc.
EP3C5U256I7
Intel
5SGSMD5K3F40C2
Intel
EP3C16E144I7
Intel
XC5VLX50-3FFG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-35E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25FF1020C5
Intel