Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA2124E0L
Herstellerteilenummer | DRA2124E0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA2124E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA2124E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2124E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA2124E0L-FT |
FJN3304RTA
ON Semiconductor
FJN3306RTA
ON Semiconductor
FJN3307RTA
ON Semiconductor
FJN3308RTA
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FJN3309RTA
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FJN3314RTA
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LFE2-12E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5TN144C
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XC6SLX75T-3CSG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-1
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5SGSMD3E2H29I3LN
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5SGSMD4E2H29I3L
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5SGXMA7H2F35C2LN
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EP3SE110F1152C2N
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EPF10K30EQI208-2N
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