Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA2523E0L
Herstellerteilenummer | DRA2523E0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA2523E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA2523E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 40 @ 100mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2523E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA2523E0L-FT |
FJN4306RTA
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FJN4307RTA
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5SGXEA5N2F45C2N
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Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB5D4F35I5N
Intel
EP20K300EBC652-2X
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