Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA3114E0L
Herstellerteilenummer | DRA3114E0L |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DRA3114E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA3114E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F2-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3114E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA3114E0L-FT |
PBRN113EK,115
NXP USA Inc.
PBRN113ZK,115
NXP USA Inc.
PBRN123EK,115
NXP USA Inc.
PBRN123YK,115
NXP USA Inc.
PDTA113EK,115
NXP USA Inc.
PDTA113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTA114EK,115
NXP USA Inc.
PDTA114TK,115
NXP USA Inc.
PDTA114TK,135
NXP USA Inc.
PDTA114YK,115
NXP USA Inc.
LCMXO640C-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5CPG132C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-SWG16TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
EP1C12F256C7N
Intel
5SGXMA3E1H29C1N
Intel
EP2AGZ300FH29I3N
Intel
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
AGL060V2-CSG121
Microsemi Corporation