Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA3152Z0L
Herstellerteilenummer | DRA3152Z0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA3152Z0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA3152Z0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 510 Ohms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 5.1 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F2-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3152Z0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA3152Z0L-FT |
PDTC123YK,115
NXP USA Inc.
PDTC124EK,115
NXP USA Inc.
PDTC124TK,115
NXP USA Inc.
PDTC124XK,115
NXP USA Inc.
PDTC143EK,115
NXP USA Inc.
PDTC143TK,115
NXP USA Inc.
PDTC143XK,115
NXP USA Inc.
PDTC143ZK,115
NXP USA Inc.
PDTC144EK,115
NXP USA Inc.
PDTC144TK,115
NXP USA Inc.