Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA5114E0L
Herstellerteilenummer | DRA5114E0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA5114E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA5114E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-85 |
Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA5114E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA5114E0L-FT |
DTB113EKT146
Rohm Semiconductor
DTB113ZKT146
Rohm Semiconductor
DTB114EKT146
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DTB123EKFRAT146
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DTB123EKT146
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LFEC1E-5T144C
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XC3S200-4FTG256I
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XC7K410T-2FBG676I
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XC4044XL-2HQ208I
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XC7VX330T-1FF1157I
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AX1000-FG676
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AX1000-FGG676I
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A40MX02-3PQ100I
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EP1SGX40GF1020C7N
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