Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA5114E0L
Herstellerteilenummer | DRA5114E0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA5114E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA5114E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-85 |
Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA5114E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA5114E0L-FT |
DTB113EKT146
Rohm Semiconductor
DTB113ZKT146
Rohm Semiconductor
DTB114EKT146
Rohm Semiconductor
DTB123EKFRAT146
Rohm Semiconductor
DTB123EKT146
Rohm Semiconductor
DTB123TKT146
Rohm Semiconductor
DTB123YKT146
Rohm Semiconductor
DTC115EKAT146
Rohm Semiconductor
DTC123EKAT146
Rohm Semiconductor
DTC143XKAT146
Rohm Semiconductor
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
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XC6SLX25-3FTG256C
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M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
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5SGSMD5H2F35I3N
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XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
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EPF8820AQC208-3
Intel