Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA5123E0L
Herstellerteilenummer | DRA5123E0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA5123E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA5123E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-85 |
Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA5123E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA5123E0L-FT |
DTD143EKFRAT146
Rohm Semiconductor
DTA114WKAT146
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LCMXO2-7000HE-4TG144I
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EPF10K30ATC144-1N
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5CGXFC4C6F27I7N
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EP3SE260F1517C2
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5SGXMB5R3F43C2N
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5SGXMA5K3F35C2LN
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XC6VLX240T-1FFG1156I
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A42MX24-1PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100C
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