Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA5124E0L
Herstellerteilenummer | DRA5124E0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA5124E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA5124E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-85 |
Supplier Device Package | SMini3-F2-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA5124E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA5124E0L-FT |
DTA115GKAT146
Rohm Semiconductor
DTA115TKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124GKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124TKAT146
Rohm Semiconductor
DTA125TKAT146
Rohm Semiconductor
DTA143EKAT246
Rohm Semiconductor
DTA144GKAT146
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DTA144TKAT146
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DTA144VKAT146
Rohm Semiconductor
DTA144WKAT146
Rohm Semiconductor
EP1C6T144C8
Intel
EPF6016ATC144-1N
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3BG225I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23I7
Intel
EP2AGZ350HF40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
EPF8820AQC208-3
Intel