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Herstellerteilenummer | DRA73-8R2-R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA73-8R2-R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | DRA |
DRA73-8R2-R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.3A |
Strom - Sättigung | 2.74A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 53 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | AEC-Q200 |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 165°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.299" L x 0.299" W (7.60mm x 7.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.140" (3.55mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA73-8R2-R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA73-8R2-R-FT |
HC2-4R7-R
Eaton - Electronics Division
HC2-4R7TR-R
Eaton - Electronics Division
HC2-6R0-R
Eaton - Electronics Division
HC2-6R0TR-R
Eaton - Electronics Division
HC2-R47-R
Eaton - Electronics Division
HC2-R47TR-R
Eaton - Electronics Division
HC2-R68-R
Eaton - Electronics Division
HC2-R68TR-R
Eaton - Electronics Division
HC2-2R2TR-R
Eaton - Electronics Division
HC1-R22-R
Eaton - Electronics Division
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel