Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA9A14Y0L
Herstellerteilenummer | DRA9A14Y0L |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DRA9A14Y0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA9A14Y0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-89, SOT-490 |
Supplier Device Package | SSMini3-F3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA9A14Y0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA9A14Y0L-FT |
DTA123JKAT146
Rohm Semiconductor
DTA123YKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124EKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124XKAT146
Rohm Semiconductor
DTA143ZKAT146
Rohm Semiconductor
DTB114GKT146
Rohm Semiconductor
DTB143EKT146
Rohm Semiconductor
DTC114GKAT146
Rohm Semiconductor
DTC114WKAT146
Rohm Semiconductor
DTC123TKAT146
Rohm Semiconductor
XCV600E-7FG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL600V2-FG484
Microsemi Corporation
U1AFS250-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-9FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4AI
Microchip Technology
5SGXEA7N3F40I4N
Intel
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX330-1FF1760C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6M132C
Lattice Semiconductor Corporation