Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA9A24E0L
Herstellerteilenummer | DRA9A24E0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA9A24E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA9A24E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-89, SOT-490 |
Supplier Device Package | SSMini3-F3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA9A24E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA9A24E0L-FT |
DTA123YKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124EKAT146
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DTA124XKAT146
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DTB114GKT146
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10M16DCF484C7G
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A40MX04-2PL44I
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XCKU040-3SFVA784E
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M7A3P1000-2FGG144
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LFE3-70EA-7FN1156C
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LFE2-20E-5F672I
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LFE3-95E-8FN484C
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10AX090H2F34I2LG
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