Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA9A24E0L
Herstellerteilenummer | DRA9A24E0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA9A24E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA9A24E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 80mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 125mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-89, SOT-490 |
Supplier Device Package | SSMini3-F3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA9A24E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA9A24E0L-FT |
DTA123YKAT146
Rohm Semiconductor
DTA124EKAT146
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DTA124XKAT146
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DTA143ZKAT146
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DTB114GKT146
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DTB143EKT146
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DTC114GKAT146
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DTC114WKAT146
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DTC123TKAT146
Rohm Semiconductor
DTC143TKAT146
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XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC2VP50-6FF1152I
Xilinx Inc.
AGL250V2-CS196
Microsemi Corporation
EP20K400ERI240-3
Intel
EP20K160EQC208-2N
Intel