Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRC2123E0L
Herstellerteilenummer | DRC2123E0L |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-DRC2123E0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRC2123E0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 2.2 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 6 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC2123E0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRC2123E0L-FT |
FJV3105RMTF
ON Semiconductor
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3113RMTF
ON Semiconductor
BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR135E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR503E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR505E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3104RMTF
ON Semiconductor
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
Intel
5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel