Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Single / DRDN005W-7
Herstellerteilenummer | DRDN005W-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRDN005W-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRDN005W-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN + Diode (Isolated) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 80V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Leistung max | 200mW |
Frequenz - Übergang | 100MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | SOT-363 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRDN005W-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRDN005W-7-FT |
BC847AW-7-F
Diodes Incorporated
BC817-16W-7
Diodes Incorporated
BC846AW-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA06Q-7-F
Diodes Incorporated
MMSTA56Q-7-F
Diodes Incorporated
ZUMT491TA
Diodes Incorporated
MMST3904-7-F
Diodes Incorporated
MMST2222A-7-F
Diodes Incorporated
AC847BWQ-13
Diodes Incorporated
BC858CW-7-F
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel